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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 63/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
22
Silicon Integrated Systems Corporation
ASERR#
I/O
AGP SERR# :
It is provided for the AGP master to report any error.
AREQ#
I
Request :
AGP master asserts this signal to request the access of the AGP
bus.
AGNT#
O
Grant :
SiS600 grants the AGP bus authority to the AGP bus master to
initiate a bus transaction. Together with ST[2:0], the assertion
of GNT# can also indicates that the master is the recipient of the
previously requested read data, or that the master can provide
write data for a previously enqueued write command.
AAD[31:0]
I/O
AGP/PCI Address/Data Bus :
AC/BE[3:0]#
I/O
AGP/PCI Command/Bye Enables Bus :
APAR
I/O
Parity :
APAR is only used during PCI operation on the AGP bus.
VREF
I
AGP Reference Voltage :
This pin should be guarded by VREFVDD/ VREFVSS on the
motherboard layout.
VREFVDD
PWR
3.3V DC power signal for AGP VREF.
VREFVSS
PWR
Ground signal for AGP VREF.
4.1.6. POWER PINS
NAME
TYPE ATTR
DESCRIPTION
VCC
PWR
+3.3V DC Power Source.
VSS
PWR
Ground signals for core logic.
5VCC
PWR
5V DC Power Source.
AVDD,
AVCC,
AVSS
PWR
Phase Lock Loop circuit Power and Ground.
GTLREF[A:B]
PWR
Reference Voltage for GTL+ interface.
VSSREF[A:B]
PWR
Ground signals for reference voltages.
VTT[A:B]
PWR
Termination to Termination Voltage.
4.1.7. MISC. PINS
NAME
TYPE ATTR
DESCRIPTION
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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