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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 98/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
54
Silicon Integrated Systems Corporation
7.1.2.
REGISTERS FOR HOST & DRAM
REGISTER
ADDRESS
REGISTER NAME
DEFAULT
VALUE
ACCESS TYPE
50h
Host Interface Control I
02h
R/W
51h
Host Interface Control II
00h
R/W
52h
DRAM MISC control 1
00h
R/W
53h
DRAM Timing control
00h
R/W
54h
DRAM RAS# Timing Control
00h
R/W
55h
DRAM MISC Control 2
00h
R/W
56h
DRAM MISC Control 3
00h
R/W
57h
SDRAM Control
00h
R/W
58h
FP/EDO DRAM CAS# Timing Control
00h
R/W
59h
A.G.P./PCI Buffer Strength and Current Rating
00h
R/W
5Ah
DRAM Buffer Strength and Current Rating
00h
R/W
5F~5Bh
Reserved
00h
R/W
60/61/62h
DRAM Type Registers of Bank 0/1/2
00h
R/W
63h
DRAM Status Register(Bit-x = Bank-x )
FFh
R/W
67~64h
ECC Status Register
00000000h
R/W
69~68
ACPI I/O Space Base Address Register
0000h
R/W
6Ah
SMRAM Access Control
00h
R/W
6Bh
System Event Monitor control for Power
Management
00h
R/W
6Ch
DRAM
Self-Refresh
Control
for
Power
Management
00h
R/W
7.1.3.
SHADOW RAM & PCI-HOLE AREA
REGISTER
ADDRESS
REGISTER NAME
DEFAULT
VALUE
ACCESS TYPE
73~72h/71~70h
Shadow RAM attribute & Read/Write Control
0000h
R/W
74/75h
ECC Function Control
00h
R/W
76h
Reserved
00h
R/W
77h
Characteristics of PCI-Hole area
00h
R/W
79~78h
Allocation of PCI-Hole area #1
0000h
R/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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