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参数资料
| 型号： | MT41J128M16HA-107:D |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96 |
| 封装： | 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件页数： | 149/210页 |
| 文件大小： | 12448K |
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Electrical Characteristics – IDD Specifications
IDD values are for full operating range of voltage and temperature unless otherwise noted.
Table 20: IDD Maximum Limits – Die Rev A
Speed Bin
DDR3-800
DDR3-1066
DDR3-1333
DDR3-1600
Units
Notes
IDD
Width
IDD0
x4
75
90
100
n/a
mA
x8
100
120
130
n/a
mA
x16
n/a
mA
IDD1
x4
100
115
130
n/a
mA
x8
115
135
155
n/a
mA
x16
n/a
mA
IDD2P0(SLOW)
All
12
n/a
mA
IDD2P1(FAST)
All
30
35
40
n/a
mA
IDD2Q
All
55
65
75
n/a
mA
IDD2N
All
60
70
80
n/a
mA
IDD2NT
x4, x8
75
90
100
n/a
mA
x16
85
105
115
n/a
mA
IDD3P
All
50
55
65
n/a
mA
IDD3N
x4, x8
70
80
95
n/a
mA
x16
n/a
mA
IDD4R
x4
175
200
230
n/a
mA
x8
195
225
255
n/a
mA
x16
n/a
mA
IDD4W
x4
225
255
285
n/a
mA
x8
260
295
330
n/a
mA
x16
n/a
mA
IDD5B
All
275
290
305
n/a
mA
IDD6
All
10
n/a
mA
IDD6ET
All
14
n/a
mA
IDD7
x4
320
345
415
n/a
mA
x8
400
430
460
n/a
mA
x16
n/a
mA
IDD8
All
IDD2P0 + 2mA
n/a
mA
Notes: 1. TC = +85°C; SRT and ASR are disabled.
2. Enabling ASR could increase IDDx by up to an additional 2mA.
3. Restricted to TC (MAX) = +85°C.
4. TC = +85°C; ASR and ODT are disabled; SRT is enabled.
5. The IDD values must be derated (increased) on IT-option devices when operated outside
of the range 0°C
≤ TC ≤ +85°C:
2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Electrical Characteristics – IDD Specifications
PDF: 09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf – Rev. K 04/10 EN
43
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