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参数资料
| 型号： | MT41J128M16HA-107:D |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96 |
| 封装： | 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件页数： | 151/210页 |
| 文件大小： | 12448K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页当前第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页
Table 21: IDD Maximum Limits – Die Rev D
Speed Bin
DDR3-1066
DDR3-1333
DDR3-1600
DDR3-1866
Units
Notes
IDD
Width
IDD0
x4
75
85
95
105
mA
x8
75
85
95
105
mA
x16
90
100
110
120
mA
IDD1
x4
95
100
105
110
mA
x8
95
100
105
110
mA
x16
125
130
135
140
mA
IDD2P0(SLOW)
All
12
mA
IDD2P1(FAST)
x4, x8
25
30
35
40
mA
x16
30
35
40
45
IDD2Q
All
30
35
40
45
mA
IDD2N
All
32
37
42
47
mA
IDD2NT
x4, x8
40
45
50
55
mA
x16
45
50
55
60
mA
IDD3P
x4, x8
30
35
40
45
mA
x16
35
40
45
50
mA
IDD3N
All
35
40
45
50
mA
IDD4R
x4
125
145
165
185
mA
x8
140
160
180
200
mA
x16
200
245
270
295
mA
IDD4W
x4
135
155
170
190
mA
x8
145
165
185
205
mA
x16
210
255
280
315
mA
IDD5B
All
190
200
215
220
mA
IDD6
All
12
mA
IDD6ET
All
15
mA
IDD7
x4
335
385
435
485
mA
x8
335
385
435
485
mA
x16
375
425
475
525
mA
IDD8
All
IDD2P + mA
mA
Notes: 1. TC = +85°C; SRT and ASR are disabled.
2. Enabling ASR could increase IDDx by up to an additional 2mA.
3. Restricted to TC (MAX) = +85°C.
4. TC = +85°C; ASR and ODT are disabled; SRT is enabled.
5. The IDD values must be derated (increased) on IT-option devices when operated outside
of the range 0°C
≤ TC ≤ +85°C:
5a. When TC < 0°C: IDD2P and IDD3P must be derated by 4%; IDD4R and IDD5W must be de-
rated by 2%; and IDD6 and IDD7 must be derated by 7%.
2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Electrical Characteristics – IDD Specifications
PDF: 09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf – Rev. K 04/10 EN
45
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