- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299522 > MT41J128M16HA-107:D 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT41J128M16HA-107:D |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96 |
| 封装： | 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件页数： | 172/210页 |
| 文件大小： | 12448K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页当前第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页
34 Ohm Output Driver Impedance
The
34Ω driver (MR1[5, 1] = 01) is the default driver. Unless otherwise stated, all timings
and specifications listed herein apply to the
34Ω driver only. Its impedance RON is de-
fined by the value of the external reference resistor RZQ as follows: RON34 = RZQ/7 (with
nominal RZQ
= 240Ω ±1%) and is actually 34.3Ω ±1%.
Table 38: 34 Ohm Driver Impedance Characteristics
MR1[5,1]
RON
Resistor
VOUT
Min
Nom
Max
Units
Notes
0,1
34.3Ω
RON34(PD)
0.2/VDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/7
0.5/VDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/7
0.8/VDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/7
RON34(PU)
0.2/VDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/7
0.5/VDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/7
0.8/VDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/7
Pull-up/pull-down mismatch (MMPUPD)
0.5/VDDQ
–10%
n/a
10
%
Notes: 1. Tolerance limits assume RZQ of
240Ω (±1%) and are applicable after proper ZQ calibra-
tion has been performed at a stable temperature and voltage (VDDQ = VDD, VSSQ = VSS).
Refer to 34 Ohm Output Driver Sensitivity (page 66) if either the temperature or the
voltage changes after calibration.
2. Measurement definition for mismatch between pull-up and pull-down (MMPUPD). Meas-
ure both RON(PU) and RON(PD) at 0.5 × VDDQ:
MM
PUPD =
× 100
Ron
PU - RonPD
Ron
NOM
3. For IT and AT (1Gb only) devices, the minimum values are derated by 6% when the de-
vice operates between –40°C and 0°C (TC).
2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Output Driver Impedance
PDF: 09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf – Rev. K 04/10 EN
64
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT45W2MW16BBB-856WT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54 |
| MT46H32M32LGCM-5IT:A | 32M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46HC32M16LFCX-75:B | 32M X 16 DDR DRAM, 7.5 ns, PBGA90 |
| MT46HC32M16LGCM-54IT:B | 32M X 16 DDR DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| MT47H32M16BT-37VL:A | 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。