参数资料
型号: MT41J128M16HA-107:D
元件分类: DRAM
英文描述: 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96
封装: 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
文件页数: 61/210页
文件大小: 12448K
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ACTIVATE Operation
Before any READ or WRITE commands can be issued to a bank within the DRAM, a row
in that bank must be opened (activated). This is accomplished via the ACTIVATE com-
mand, which selects both the bank and the row to be activated.
After a row is opened with an ACTIVATE command, a READ or WRITE command may
be issued to that row, subject to the tRCD specification. However, if the additive latency
is programmed correctly, a READ or WRITE command may be issued prior to tRCD
(MIN). In this operation, the DRAM enables a READ or WRITE command to be issued
after the ACTIVATE command for that bank, but prior to tRCD (MIN) with the require-
ment that (ACTIVATE-to-READ/WRITE) + AL
tRCD (MIN) (see POSTED CAS ADDI-
TIVE Latency). tRCD (MIN) should be divided by the clock period and rounded up to
the next whole number to determine the earliest clock edge after the ACTIVATE com-
mand on which a READ or WRITE command can be entered. The same procedure is
used to convert other specification limits from time units to clock cycles.
When at least one bank is open, any READ-to-READ command delay or WRITE-to-
WRITE command delay is restricted to tCCD (MIN).
A subsequent ACTIVATE command to a different row in the same bank can only be is-
sued after the previous active row has been closed (precharged). The minimum time
interval between successive ACTIVATE commands to the same bank is defined by tRC.
A subsequent ACTIVATE command to another bank can be issued while the first bank is
being accessed, which results in a reduction of total row-access overhead. The mini-
mum time interval between successive ACTIVATE commands to different banks is
defined by tRRD. No more than four bank ACTIVATE commands may be issued in a
given tFAW (MIN) period, and the tRRD (MIN) restriction still applies. The tFAW (MIN)
parameter applies, regardless of the number of banks already opened or closed.
Figure 65: Example: Meeting tRRD (MIN) and tRCD (MIN)
Command
Don’t Care
T1
T0
T2
T3
T4
T5
T8
T9
tRRD
Row
Col
Bank x
Bank y
Bank y
NOP
ACT
NOP
ACT
NOP
RD/WR
tRCD
BA[2:0]
CK#
Address
CK
T10
T11
NOP
Indicates A Break in
Time Scale
2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
ACTIVATE Operation
PDF: 09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf – Rev. K 04/10 EN
153
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