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参数资料
| 型号： | MT41J128M16HA-107:D |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96 |
| 封装： | 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件页数： | 191/210页 |
| 文件大小： | 12448K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页当前第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页
Table 56: Electrical Characteristics and AC Operating Conditions (Continued)
Notes 1–8 apply to the entire table
Parameter
Symbol
DDR3-800
DDR3-1066
DDR3-1333
DDR3-1600
Units Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
MULTIPURPOSE REGISTER READ burst end to
mode register set for multipurpose register
exit
tMPRR
MIN = 1CK; MAX = n/a
CK
Calibration Timing
ZQCL command: Long
calibration time
POWER-UP and RE-
SET operation
tZQinit
512
–
512
–
512
–
512
–
CK
Normal operation
tZQoper
256
–
256
–
256
–
256
–
CK
ZQCS command: Short calibration time
tZQcs
64
–
64
–
64
–
64
–
CK
Initialization and Reset Timing
Exit reset from CKE HIGH to a valid command
tXPR
MIN = greater of 5CK or tRFC + 10ns; MAX = n/a
CK
Begin power supply ramp to power supplies
stable
tVddpr
MIN = n/a; MAX = 200
ms
RESET# LOW to power supplies stable
tRPS
MIN = 0; MAX = 200
ms
RESET# LOW to I/O and RTT High-Z
tIOz
MIN = n/a; MAX = 20
ns
Refresh Timing
REFRESH-to-ACTIVATE or REFRESH
command period
tRFC – 1Gb
MIN = 110; MAX = 70,200
ns
tRFC – 2Gb
MIN = 160; MAX = 70,200
ns
tRFC – 4Gb
MIN = 300; MAX = 70,200
ns
Maximum refresh
period
TC ≤ +85°C
–
64 (1X)
ms
TC > +85°C
32 (2X)
ms
Maximum average
periodic refresh
TC ≤ +85°C
tREFI
7.8 (64ms/8192)
s
TC > +85°C
3.9 (32ms/8192)
s
Self Refresh Timing
Exit self refresh to commands not requiring a
locked DLL
tXS
MIN = greater of 5CK or tRFC + 10ns; MAX = n/a
CK
Exit self refresh to commands requiring a
locked DLL
tXSDLL
MIN = tDLLK (MIN); MAX = n/a
CK
Minimum CKE low pulse width for self re-
fresh entry to self refresh exit timing
tCKESR
MIN = tCKE (MIN) + CK; MAX = n/a
CK
Valid clocks after self refresh entry or power-
down entry
tCKSRE
MIN = greater of 5CK or 10ns; MAX = n/a
CK
2Gb:
x4,
x8,
x16
DDR3
SDRAM
Electrical
Characteristics
and
AC
Operating
Conditions
PDF:
09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf
–
Rev.
K
04/10
EN
81
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Technology,
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2006
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